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HGTG30N60B价格
参考价格：￥13.5954
型号：HGTG30N60B3 品牌：FAIRCHILD 备注：这里有HGTG30N60B多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，HGTG30N60B批发/采购报价，HGTG30N60B行情走势销售排行榜，HGTG30N60B报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N60B3isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  |   | |
60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N60B3isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel | IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社 |  | | |
60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG30N60B3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderate | IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社 | | | |
60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT 60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT withAnti-ParallelHyperfastDiode TheHGTG30N60B3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabip | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | | |
封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 60A 208W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | | |
封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 60A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode 文件：228.05 Kbytes Page：8 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | | |
60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode 文件：228.05 Kbytes Page：8 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | | |
BIDW30N60TInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT) GeneralInformation TheBourns®ModelBIDW30N60TIGBTdevicecombinestechnologyfromaMOSgate andabipolartransistorforanoptimumcomponentforhighvoltageandhighcurrent applications.ThisdeviceusesTrench-GateField-Stoptechnologyprovidinggreater controlofdynamiccharacteris | BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士） |  | | |
LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryantiparallelEmitterControlleddiode 文件：1.9827 Mbytes Page：16 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  | | |
ACTIVE/SYNCHRONOUSRECTIFIER 文件：672.35 Kbytes Page：15 Pages | DIODESDiodes Incorporated 达尔科技 |  | | |
N-ChannelEnhancementModeMOSFET 文件：281.61 Kbytes Page：4 Pages | DACO DACO |  | | |
N-ChannelEnhancementModeMOSFET 文件：264.01 Kbytes Page：4 Pages | DACO DACO | | |
HGTG30N60B产品属性
- 类型
描述
- 型号
HGTG30N60B
- 功能描述
IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT UFS Series
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
2020+ |
TO-247- |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO247 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
FCS |
20+ |
TO-2473L |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
FAIRCHILD品牌 |
2016+ |
TO-3P |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
|||
三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
|||||
onsemi(安森美) |
23+ |
TO2473 |
6000 |
诚信服务，绝对原装原盘 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO247 |
1709 |
||||
FAIRCHILD |
21+ |
TO-247 |
16500 |
进口原装正品现货 |
|||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
FAIRCHILD |
TO247 |
9850 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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2020-11-25HHM1517 深圳市得捷芯城电子科技 AVX KEMET 尼康 三洋 钽电容代理商
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2020-6-23HHC67E-1H-12VDC
HHC67E-1H-12VDC，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-4-20HHC67E-1H-24VDC
HHC67E-1H-24VDC，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-8-21
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