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位置：首页 > IC中文资料第1835页 > HGTD7N60A4S

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
HGTD7N60A4S

600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBT

TheHGTD7N60A4S,HGT1S7N60A4S,HGTG7N60A4andHGTP7N60A4areMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchlower

Intersil

Intersil Corporation

Intersil
7N60A4

600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBT

TheHGT1S7N60A4S9A,HGTG7N60A4andHGTP7N60A4areMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statev

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
7N60A4

600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBT

TheHGTD7N60A4S,HGT1S7N60A4S,HGTG7N60A4andHGTP7N60A4areMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchlower

Intersil

Intersil Corporation

Intersil
7N60A4

600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBT

文件：191.58 Kbytes Page：8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
G7N60A4D

600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode

文件：189.45 Kbytes Page：9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

HGTD7N60A4S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HGTD7N60A4S

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 TO-252

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

HGTD7N60A4S供应商更多...

更新时间：2025-5-21 8:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市蓝山航业科技有限公司
HGTD7N60B3
har
24+
500000
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HGTD7N60A4S
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HGTD7N60A4S
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HGTD7N60C3S
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TO-252
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