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60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT

60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode The HGTG30N60B3D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bip

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

HGT4E30N60B3S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HGT4E30N60B3S

  • 制造商

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述

    - Bulk

更新时间:2025-8-17 22:28:02
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