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HGT4E20N60A4DS

600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode

600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiode ThisfamilyofMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartrans

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

HGT4E20N60A4DS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HGT4E20N60A4DS

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 TO-268

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-13 18:38:00
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