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位置：首页 > IC中文资料第542页 > HGT1S7N60C3D

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
HGT1S7N60C3D

14A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiodes

GeneralDescription TheHGTP7N60C3D,HGT1S7N60C3DSandHGT1S7N60C3DareMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
HGT1S7N60C3D

14A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiodes

GeneralDescription TheHGTP7N60C3D,HGT1S7N60C3DSandHGT1S7N60C3DareMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
HGT1S7N60C3D

14A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiodes

文件：547.54 Kbytes Page：9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
HGT1S7N60C3DS

14A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiodes

GeneralDescription TheHGTP7N60C3D,HGT1S7N60C3DSandHGT1S7N60C3DareMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
HGT1S7N60C3DS

14A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiodes

TheHGTP7N60C3DandHGT1S7N60C3DSareMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedrop

Intersil

Intersil Corporation

Intersil
HGT1S7N60C3DS

14A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiodes

GeneralDescription TheHGTP7N60C3D,HGT1S7N60C3DSandHGT1S7N60C3DareMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
HGT1S7N60C3DS9A

14A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiodes

GeneralDescription TheHGTP7N60C3D,HGT1S7N60C3DSandHGT1S7N60C3DareMOSgatedhighvoltageswitchingdevicescombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThesedeviceshavethehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
HGT1S7N60C3DS

14A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiodes

文件：547.54 Kbytes Page：9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
HGT1S7N60C3DS

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件 描述：IGBT 600V 14A 60W TO263AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
HGT1S7N60C3DS9A

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 包装：管件 描述：IGBT 600V 14A 60W TO263AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

HGT1S7N60C3D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HGT1S7N60C3D

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 Optocoupler Phototransistor

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

HGT1S7N60C3D供应商更多...

更新时间：2025-5-29 9:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市赛能新源半导体有限公司
HGT1S7N60C3DS9A
FAIRCHILD
24+
SOT-263
56000
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深圳市创新迹电子有限公司
HGT1S7N60C3D
FAIRCHILD/仙童
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TO-263
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深圳市赛美科科技有限公司
HGT1S7N60C3DS
仙童
TO-263
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一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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深圳市得捷芯城科技有限公司
HGT1S7N60C3D
FAIRCHILD/仙童
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NA/
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
HGT1S7N60C3D
FAIRCHILD
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TO-263
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深圳市纳艾斯科技有限公司
HGT1S7N60C3DS9A
FAIRCHI
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SOT-263
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深圳市柯尔基电子有限公司
HGT1S7N60C3DS
仙童
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TO-263
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主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管
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深圳市星佑电子有限公司
HGT1S7N60C3D
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深圳市威尔健半导体有限公司
HGT1S7N60C3D
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深圳市博浩通科技有限公司
HGT1S7N60C3DS9A
FAIRCHIL
23+
TO-263
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