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NP24N10CLB	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION These products are N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES •Channel temperature 175 degree rated • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 80 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 12 A) RDS(on)2	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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EPC24N10A	Up to 110A 460 Vac Phase Angle Controller 文件：155.71 Kbytes Page：5 Pages	TELEDYNE 华特力科	TELEDYNE
PJB24N10	100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：212.81 Kbytes Page：5 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT

HFS24N10S供应商更多...

更新时间：2025-10-31 16:37:01

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HFV4-012-1Z1GR 是宏发生产的一款汽车继电器
HFV4-012-1Z1GR 80000PCS
2025-10-22
HFV7-P/012-HST
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2023-3-23
HFKW/012-1ZW(136)黑色
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2023-3-23
HFD4/2.4-SR
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2021-2-14
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2021-2-14
HG4119/048-1Z11，HG51B218FS，HG52E24AFD，HG62E08R74FB，HG62E43R76FS，
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2020-1-13