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HFP50N06V

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features • 50A, 60V(See Note), RDS(on)

Huashan

华汕电子器件

HFP50N06V

场效应管

Huashan

华汕电子器件

50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 50N06is three-terminal silicon device with current conduction capability of about 50A, fast switching speed. Low on-state resistance, breakdown voltage rating of 60V, and max threshold voltages of 4 volt. It is mainly suitable electronic ballast, and low power switching mod

UTC

友顺

50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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WXDH

东海半导体

50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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东海半导体

50A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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东海半导体

更新时间:2026-1-4 23:01:00
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