| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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HER3L03G | 3A,200V-600VGlassPassivatedHighEfficientRectifier 文件：281.72 Kbytes Page：7 Pages | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司 |  |   |
HER3L03G | 封装/外壳：DO-201AD，轴向 包装：卷带（TR） 描述：50NS, 3A, 200V, HIGH EFFICIENT R 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 | ETC 知名厂家 | ETC | |
Nch60V50APowerMOSFET Features 1)Lowon-resistance 2)Highpowerpackage(TO-252) 3)Pb-freeplating;RoHScompliant 4)Halogenfree Application Switching | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 |  | | |
Pch-60V-29APowerMOSFET Features Lowon-resistance Pd-freeplating;RoHScompliant 100%Avalanchetested AEC-Q101qualified Application ADAS/Info./Lighting/Body | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | | | |
2.8V,HighPrecision1:3ClockFanoutBuffer 文件：173.57 Kbytes Page：4 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | | |
Pch-60V-35APowerMOSFET 文件：2.66904 Mbytes Page：14 Pages | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MDD |
24+ |
DO27 |
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SEMICONDUCTOR |
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只做原装现货 |
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IR |
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2012-12-5
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