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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
HD10M25 | HIGH-FREQ ALUMINUM ELECTROLYTIC 文件：14.44 Kbytes Page：1 Pages | NTE |   | |
HD10M25 | HIGH-FREQ ALUMINUM ELECTROLYTIC | NTE | | |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. • Faster Switching | ADPOW | | ||
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HD10M25产品属性
- 类型
描述
- 型号
HD10M25
- 制造商
NTE Electronics
- 功能描述
Capacitor,10uF,25VDC,20-% Tol,20+% Tol
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
YANGJIE(扬杰) |
24+ |
MBS |
8215 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
HITACH |
25+ |
DIP |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
SIEMENS |
24+ |
DIP |
600 |
||||
SIEMENS |
22+ |
DIP |
5000 |
进口原装!现货库存 |
|||
SIEMENS/西门子 |
2447 |
NA |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
AIRB |
23+ |
65480 |
|||||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-23-3 |
986966 |
国产 |
|||
agi |
24+ |
N/A |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
|||
YANGJIE |
24+ |
MBS |
50000 |
原厂直销全新原装正品现货 欢迎选购 |
|||
SIEMENS/西门子 |
23+ |
DIP |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
HD10M25规格书下载地址
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