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丝印代码:8R1K4CE;High peak current capability

Features •Highvoltagetechnology •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Lowgatecharge •Loweffectivecapacitances •Pb-freeplating,RoHSCompliant,Halogenfreemoldcompound •Qualifiedforconsumergradeapplications

INFINEON

英飞凌

Isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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INFINEON

英飞凌

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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INFINEON

英飞凌

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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INFINEON

英飞凌

更新时间:2026-3-18 18:23:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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