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HCF4012BM1	NANDGATES DESCRIPTION TheHCC4011B,HCC4012BandHCC4023B(extendedtemperaturerange)andHCF4011B,HCF4012BandHCF4023B(intermediatetemperaturerange)aremonolithic,integratedcircuit,availablein14-leaddualin-lineplasticorceramicpackageandplasticmicropackage. TheHCC/HCF4011B,HCC/HCF40	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
HCF4012BM1	DUAL4INPUTNANDGATE DESCRIPTION TheHCC4011B,HCC4012BandHCC4023B(extendedtemperaturerange)andHCF4011B,HCF4012BandHCF4023B(intermediatetemperaturerange)aremonolithic,integratedcircuit,availablein14-leaddualin-lineplasticorceramicpackageandplasticmicropackage. TheHCC/HCF4011B,HCC/HCF40	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
HCC4012BM1	NANDGATES DESCRIPTION TheHCC4011B,HCC4012BandHCC4023B(extendedtemperaturerange)andHCF4011B,HCF4012BandHCF4023B(intermediatetemperaturerange)aremonolithic,integratedcircuit,availablein14-leaddualin-lineplasticorceramicpackageandplasticmicropackage. TheHCC/HCF4011B,HCC/HCF40	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

HCF4012BM1产品属性

类型
描述
型号
HCF4012BM1
功能描述
逻辑门 DUAL 4-Input NAND
RoHS
否
制造商
Texas Instruments
产品
OR
逻辑系列
LVC
栅极数量
2
线路数量（输入/输出）
2/1
高电平输出电流
- 16 mA
低电平输出电流
16 mA
传播延迟时间
3.8 ns
电源电压-最大
5.5 V
电源电压-最小
1.65 V
最大工作温度
+ 125 C
安装风格
SMD/SMT
封装/箱体
DCU-8
封装
Reel

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更新时间：2024-6-24 18:31:00

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HC89S003F4P6，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
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80V/2.5A山顶，高频率100桥FET驱动器该HCA10008是一个高频率，中压全大桥N沟道场效应管驱动IC，在20个铅可用塑料SOIC封装。该HCA10008可以驱动每一个可能开关组合，除了那些会造成拍摄通过条件。该HCA10008可以切换频率高达1MHz，非常适合驾驶音圈马达，高频率的D类音频放大器以及电源供应。例如，可以驱动中压HCA10008刷马达，两个HCA10008s可以用来驱动高性能步进电机，因为短期最低“准时“可以提供精细微步功能。约55ns的传播延迟短最大化控制回路交叉频率和死倍，可以调整到接近零，以尽量减少失真，从而导致在快速，精确控制的驱动负载。
2013-3-4

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