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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
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HB11111	BreakeAwayHeader.025(0.64mm)SquarePosts [FOXCONN] BreakeAwayHeader.025(0.64mm)SquarePosts	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商
AMN11111	MOTIONSENSOR(PASSIVEINFRAREDTYPE) 文件：1.12495 Mbytes Page：9 Pages	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下电器松下电器机电(中国)有限公司
LTWTN-11111	PowerTransducerSeriesLT-UNIT 文件：130.55 Kbytes Page：5 Pages	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司
LTWTN-11111/Q	PowerTransducerSeriesLT-UNIT 文件：130.55 Kbytes Page：5 Pages	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司

HC11111供应商更多...

更新时间：2025-5-17 15:31:00

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HBZ221KBBCF0KR
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2023-11-9
HBN2444S6R CYSTECH
www.hfxcom.com
2021-12-20
HC32F003C6UA 深圳市庞田科技有限公司主做新塘，TI,ST,GD,华大单片机等原装正品现货
深圳市庞田科技有限公司主做原装正品不出一粒假货
2021-9-25
HC16P013A0
HC16P013A0，全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一/零七五五，八五二七四六六二，企鹅:一一七四零五二三五三/一八五二三四六九零六.V:八七六八零五五八.
2021-5-19
HC32F005C6PA
ARMCortex-M0+内核，宽电压1.8～5.5V，4KBRAM，32KBFlash.ARMCortex-M0+内核，宽电压1.8～5.5V，4KBRAM，32KBFlash.ARMCortex-M0+内核，宽电压1.8～5.5V，4KBRAM，32KBFlash.
2020-12-14
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2019-12-3