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HBN2515S6R

LowVcesatNPNEpitaxialPlanarTransistor

Features •TwoBTD2515chipsinaSOT-363package. •MountingpossiblewithSOT-323automaticmountingmachines. •Transistorelementsareindependent,eliminatinginterference. •Mountingcostandareacanbecutinhalf. •LowVCE(sat),VCE(sat)=25mV(max),atIC/IB=10mA/0.5mA. •Wei

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

CYSTEKEC
更新时间:2024-4-30 17:48:00
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    2019-12-3