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HBN1803M65

Octuple High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor

Description • High breakdown voltage. (BVCEO=400V) • Low saturation voltage, typical VCE(sat) =0.12V at Ic/IB =20mA/1mA. • Complementary to HBP1804M65 • Pb-free lead plating and halogen-free package

CYSTEKEC

全宇昕科技

HBN1803M65

Octuple High Voltage NPN Epitaxial Planar Transistor

CYSTEKEC

全宇昕科技

更新时间:2026-7-30 15:52:00
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