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HBN1803M65

OctupleHighVoltageNPNEpitaxialPlanarTransistor

Description •Highbreakdownvoltage.(BVCEO=400V) •Lowsaturationvoltage,typicalVCE(sat)=0.12VatIc/IB=20mA/1mA. •ComplementarytoHBP1804M65 •Pb-freeleadplatingandhalogen-freepackage

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

CYSTEKEC
更新时间:2024-5-15 22:30:00
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