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HBC556

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description The HBC556 is primarily intended for use in driver stage of audio amplifiers. Features • High Breakdown Voltage: 65V at IC=1mA • High AC Current Gain: 75-500 at IC=2mA,VCE=5V,f=1MHz

HSMC

华昕

HBC556

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

HSMC

华昕

Amplifier Transistors

Amplifier Transistors PNP Silicon

MOTOROLA

摩托罗拉

Dual Timer

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NSC

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DUAL TIMER

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日本无线

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日本无线

HBC556产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HBC556

  • 制造商

    HSMC

  • 制造商全称

    HSMC

  • 功能描述

    PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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    2024-3-4
  • HB6206A33M3G

    HB6206A33M3G

    2023-1-2
  • HBN2444S6R CYSTECH

    www.hfxcom.com

    2021-12-20
  • HAT2165H-EL-E

    产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Renesas Electronics 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: LFPAK-5 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 商标: Renesas Electronics 产品类型: MOSFET 工厂包装数量: 2500 子类别: MOSFETs 单位重量: 80 mg

    2020-8-11
  • HBT有源偏置增益块SBB3089Z原装现货

    深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机:17727572380 。 电 话:0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号:15096137729

    2019-12-3
  • HB1-DC24V

    HB1-DC24V,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-9-12