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HB52RF649DC-B | 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM Description The HB52RF649DC, HB52RD649DC are a 64M × 72 × 2 banks Synchronous Dynamic RAM Small Outline Dual In-line Memory Module (S.O.DIMM), mounted 18 pieces of 256M bits SDRAM sealed in TCP package and 1 piece of serial EEPROM (2k bits) for Presence Detect (PD). An outline of the products is | ELPIDA 尔必达 | ||
HB52RF649DC-B | 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM | Micron 美光 | ||
512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM Description The HB52RF649DC, HB52RD649DC are a 64M × 72 × 2 banks Synchronous Dynamic RAM Small Outline Dual In-line Memory Module (S.O.DIMM), mounted 18 pieces of 256M bits SDRAM sealed in TCP package and 1 piece of serial EEPROM (2k bits) for Presence Detect (PD). An outline of the products is | ELPIDA 尔必达 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2024-3-4HB6206A33M3G
HB6206A33M3G
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www.hfxcom.com
2021-12-20HAT2165H-EL-E
产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Renesas Electronics 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: LFPAK-5 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 封装: Reel 商标: Renesas Electronics 产品类型: MOSFET 工厂包装数量: 2500 子类别: MOSFETs 单位重量: 80 mg
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2019-3-7
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