型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
HAT2175H-EL-E

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

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RENESAS

瑞萨

Customer Specifications

Construction 1) Conductor a) Material Tinned Copper, per ASTMB-33 and CID-A-A-59551 b) Stranding Solid c) Diameter 0.010 2) Braid Data a) Nominal ID 0.562 b) AWG of Ends 30 c) Number of Carriers 48 d) Nominal Percent Coverage 99 e) Total Number of Ends 480 f) Approx. Equiv. AWG 3 g) Ap

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HAT2175H-EL-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HAT2175H-EL-E

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 100V 15A 5LFPAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-27 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
2511
LFPAK
5884
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RENESAS
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LFPAK
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