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UHF power LDMOS transistor

DESCRIPTION Silicon N-channel enhancement mode lateral D-MOS transistor encapsulated in a 2-lead flange package (SOT467C) with a ceramic cap. The common source is connected to the mounting flange. FEATURES • High power gain • Easy power control • Excellent ruggedness • Source on underside el

PHILIPS

飞利浦

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (INDUSTRIAL USE, GENERAL PURPOSE)

INDUSTRIAL USE. GENERAL PURPOSE APPLICATION. FEATURES • Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)=-1.0V(Max.) at IC=-2A, IB=-0.2A. • Complementary to KTC2026.

KECKEC(Korea Electronics)

开益禧无锡开益禧半导体有限公司

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更新时间:2026-8-2 22:58:01
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