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Silicon N-Channel MOSFET High-Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on)= 25 mΩt yp. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive

RENESAS

瑞萨

Silicon N-Channel MOSFET High-Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on)= 25 mΩt yp. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive

RENESAS

瑞萨

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS (on)=25 mΩ typ. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive

RENESAS

瑞萨

Silicon N-Channel MOSFET High-Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on)= 25 mΩt yp. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive

RENESAS

瑞萨

Silicon N-Channel MOSFET High-Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on)= 25 mΩt yp. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive

RENESAS

瑞萨

H7N1004DS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    H7N1004DS

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述

    Bulk

更新时间:2026-1-5 10:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
瑞萨
23+24
TO220F
16790
专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC
RENESAS
22+
TO220F
8000
原装正品支持实单
R
22+
TO-252
6000
十年配单,只做原装
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
RENESAS/瑞萨
24+
TO-252
8540
只做原装正品现货或订货假一赔十!
VBsemi
24+
TO220
5000
全新原装正品,现货销售
VBsemi/台湾微碧
22+
TO-252
20000
公司只做原装 品质保障
瑞萨RENESA
23+
TO-220FM
137999
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
VBsemi
23+
TO252
10065
原装正品,有挂有货,假一赔十
R
25+
TO-252
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证

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