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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) = 8 mΩ typ. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive

RENESAS

瑞萨

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS (on) = 8 mΩ typ. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive

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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS (on) = 8 mΩ typ. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive

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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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更新时间:2026-1-5 19:10:01
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##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术

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