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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
H7N0310LD | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 8 mΩ typ. • Low drive current | RENESAS 瑞萨 |   | |
H7N0310LD | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：105.14 Kbytes Page：8 Pages | RENESAS 瑞萨 | | |
H7N0310LD | Power MOSFETs | RENESAS 瑞萨 | | |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：105.14 Kbytes Page：8 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：116.57 Kbytes Page：10 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 8 mΩ typ. • Low drive current | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：105.14 Kbytes Page：8 Pages | RENESAS 瑞萨 | |
H7N0310LD产品属性
- 类型
描述
- 型号
H7N0310LD
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO263 |
8000 |
原装正品支持实单 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO263 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
RENESAS |
23+ |
TO-252 |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
R |
LDPAK |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263 |
986966 |
国产 |
|||
RENESAS |
2025+ |
TO263 |
3550 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
中性 |
23+ |
SOT-23 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
R |
25+ |
LDPAK |
35400 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
瑞萨Renesa |
18+ |
TO-252 |
41200 |
原装正品,现货特价 |
H7N0310LD规格书下载地址
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