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H7N0308CF-E	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 3.8 mΩ typ. • Low drive current • 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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H7N0308AB	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 3.8 mΩ typ. • Low drive current • 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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H7N0308AB	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：81.02 Kbytes Page：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更新时间：2025-10-18 22:59:00

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深圳市威雅利发展有限公司	H7N0308LD	RENESAS	21+	TO-252	10	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市中联芯电子有限公司	H7N0308LD	RENESAS	23+	TO-252	10065	原装正品,有挂有货,假一赔十	询价
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深圳市宇创芯科技有限公司	H7N0308LD	RENESAS	24+	TO-252	16900	原装正品现货支持实单	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	H7N0308CF-E	RENESAS/瑞萨	24+		65230		询价
深圳市能元时代电子有限公司	H7N0308LD	NEC	23+	TO-252	50621	##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术	询价
深圳深宇韬电子科技有限公司	H7N0308LD	RENESAS	2023+	TO-252	8800	正品渠道现货终端可提供BOM表配单。	询价

H5TQ4G83CFR-RDC中文资料PDF
H5TQ4G83CFR-RDC 品牌HYNIX 数量:16000 批号:18+ 封装:FBGA 全新原装现
2022-12-28
H5TQ4G83CFR-RDC绝对全新原装正品特价销售
H5TQ4G83CFR-RDC 绝对全新原装正品特价销售
2022-10-27
H9HCNNNCPUMLHR-NME
H9HCNNNCPUMLHR-NME 电子元器件 SKHYNIX 封装BGA
2022-7-22
H9HCNNNBPUMLHR-NME
H9HCNNNBPUMLHR-NME 存储IC SK hynix 封装FBGA
2022-7-22
H9DA1GH25HBMBR-4EM 海力士/SKHynix内存芯片 H9DA1GH25HAMBR-4EM 鸿裕兴电子
H9DA1GG51JCMCR-4EM H9DA1GG51JBMCR-4EM H9DA1GG51HCMBR-4EM H9DA1GG51HAMMR-4EM H9DA1GG51HAMBR-4EM H9DA1GG25HBMBR-4EM H9CCNNNBPTMLBR-NTM H9CCNNNBLTMLAR-NTM H9CCNNN8JTMLAR-NTM
2020-7-16
H6MM，DEV-KIT-C，CBL-H6DC-3
H6 可配置数字倾角仪 Rieker H6 的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，通过水下最深 30 M 测试，非常适合大多数环境
2019-8-23