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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 3.8 mΩ typ. • Low drive current • 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source

RENESAS

瑞萨

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance • RDS(on) = 3.8 mΩ typ. • Low drive current • 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS (on) = 3.8 mΩ typ. • Low drive current • 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source

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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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H7N0308CF(E)产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    H7N0308CF(E)

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

更新时间:2025-10-19 14:08:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
23+
TO-220
48283
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
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21+
TO-220
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS/瑞萨
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TO-220
2000
原厂代理 终端免费提供样品
RENESAS
2023+
TO-220
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
RENESAS
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TO-220
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进口原装现货,假一赔十
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电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
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9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
RENESAS/瑞萨
23+
TO220F
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
24+
N/A
48000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
VBsemi(台湾微碧)
2447
TO-220F
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50个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期

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