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H7N0308AB	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 3.8 mΩ typ. • Low drive current • 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H7N0308CF	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • RDS(on) = 3.8 mΩ typ. • Low drive current • 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
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H7N0308AB	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：81.02 Kbytes Page：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H7N0308AB-E	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：81.02 Kbytes Page：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

H7N0308CF(E)供应商更多...

更新时间：2025-10-19 14:08:02

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深圳市能元时代电子有限公司	H7N0308AB	RENESAS	23+	TO-220	48283	##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术	询价
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深圳市盈慧通电子有限公司	H7N0308AB	RENESAS	2511	TO-220	50	电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价	询价
深圳市中联芯电子有限公司	H7N0308AB	RENESAS	24+	TO-220	9000	只做原装正品有挂有货假一赔十	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	H7N0308CF	RENESAS/瑞萨	23+	TO220F	28888	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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H5TQ4G83CFR-RDC中文资料PDF
H5TQ4G83CFR-RDC 品牌HYNIX 数量:16000 批号:18+ 封装:FBGA 全新原装现
2022-12-28
H5TQ4G83CFR-RDC绝对全新原装正品特价销售
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2022-10-27
H9HCNNNCPUMLHR-NME
H9HCNNNCPUMLHR-NME 电子元器件 SKHYNIX 封装BGA
2022-7-22
H9HCNNNBPUMLHR-NME
H9HCNNNBPUMLHR-NME 存储IC SK hynix 封装FBGA
2022-7-22
H9DA1GH25HBMBR-4EM 海力士/SKHynix内存芯片 H9DA1GH25HAMBR-4EM 鸿裕兴电子
H9DA1GG51JCMCR-4EM H9DA1GG51JBMCR-4EM H9DA1GG51HCMBR-4EM H9DA1GG51HAMMR-4EM H9DA1GG51HAMBR-4EM H9DA1GG25HBMBR-4EM H9CCNNNBPTMLBR-NTM H9CCNNNBLTMLAR-NTM H9CCNNN8JTMLAR-NTM
2020-7-16
H6MM，DEV-KIT-C，CBL-H6DC-3
H6 可配置数字倾角仪 Rieker H6 的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，通过水下最深 30 M 测试，非常适合大多数环境
2019-8-23