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iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·LowRDS(ON) ·FastSwitchingSpeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforSwitchedModePowerSupplies(SMPS), motorcontrol,welding,andingeneralpurposeswi

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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TrenchMOStransistorStandardlevelFET

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TrenchMOSTMtransistorStandardlevelFET

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KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
更新时间:2025-7-25 8:14:01
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