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N-Channel60-V(D-S)MOSFET

FEATURES •175°CJunctionTemperature •TrenchFET®PowerMOSFET •Materialcategorization:

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■60V,87A,RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.

CETCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 60V,87A,RDS(ON)=12mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

FastSwitchingSpeed

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

文件:1.27408 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2024-6-5 21:36:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
20+
TO-220
38560
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VISHAY
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ON/进口原
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TO-220
6200
Rongtai(容泰半导体)
1年内
TO-220C
2074
容泰经销商 共奕芯城一站式电子元器采购平台支持自助
RUHIPS
23+
NA/
447
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
O
22+
TO-220
25000
只做原装进口现货,专注配单
ZX
2023+
TO220F
58000
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