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ReverseConductingIGBTwithmonolithicbodydiode

Features: •PowerfulmonolithicBodyDiodewithverylowforwardvoltage •Bodydiodeclampsnegativevoltages •TrenchandFieldstoptechnologyfor1200Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior •NPTtechnologyofferse

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
更新时间:2024-10-31 20:00:00
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