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LowVCE(sat)HighspeedIGBT

LowVCE(sat)HighspeedIGBT Features •InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD •2ndgenerationHDMOSTMprocess •LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DC

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

Extremelyenhancedavalanchecapability

GeneralDescription Din-TekFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,high energyefficiencyandshortcircuitruggedness. Itisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpower supplies(UPS),generalinverters. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highruggedness,

DINTEK

DinTek Semiconductor Co,.Ltd

DINTEK

IGBT

GeneralDescription EmployingNPTtechnology,Fairchild’sANseriesofIGBTsprovideslowconductionandswitchinglosses.TheAN seriesoffersansolutionforapplicationsuchasinductionheating(IH),motorcontrol,generalpurposeinvertersanduninterruptiblepowersupplies(UPS).

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

Insulated-GateBipolarTransistorinaTO-3PPlasticPackage

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FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN

1200V,25ANPTTrenchIGBT

文件:1.38861 Mbytes Page:9 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2024-10-31 20:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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