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H15R1203

Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

Features: • Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only • TRENCHSTOP™ technology applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - low VCEsat - easy parallel switching capabilit

Infineon

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H15R1203

Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

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更新时间:2025-9-26 9:12:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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