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H15R1203

Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

Features: • Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only • TRENCHSTOP™ technology applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior - low VCEsat - easy parallel switching capabilit

Infineon

英飞凌

H15R1203

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Infineon

英飞凌

更新时间:2025-8-7 15:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
Infineon(英飞凌)
24+
N/A
9855
原装正品现货支持实单
INFINEON英飞凌
23+
TO-3P
5000
原装正品,假一罚十
INFINEON
24+
TO-247
8500
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售
英飞翎
2020+
TO-3P
9500
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
INFINEO
18+
TO-247
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
7000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
7000
公司只做原装,可来电咨询
Infineon(英飞凌)
24+
标准封装
7000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
INFINEON/英飞凌
24+
65200

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