位置:GS8160Z18CGT-300 > GS8160Z18CGT-300详情
GS8160Z18CGT-300中文资料
GS8160Z18CGT-300数据手册规格书PDF详情
Functional Description
The GS8160Z18/36CT is an 18Mbit Synchronous Static SRAM. GSIs NBT SRAMs, like ZBT, NtRAM, NoBL or other pipelined read/double late write or flow through read/single late write SRAMs, allow utilization of all available bus bandwidth by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles.
Features
• NBT (No Bus Turn Around) functionality allows zero wait read-write-read bus utilization; Fully pin-compatible with both pipelined and flow through NtRAM™, NoBL™ and ZBT™ SRAMs
• 2.5 V or 3.3 V +10/–10 core power supply
• 2.5 V or 3.3 V I/O supply
• User-configurable Pipeline and Flow Through mode
• LBO pin for Linear or Interleave Burst mode
• Pin compatible with 2M, 4M, and 8M devices
• Byte write operation (9-bit Bytes)
• 3 chip enable signals for easy depth expansion
• ZZ Pin for automatic power-down
• JEDEC-standard 100-lead TQFP package
• Pb-Free 100-lead TQFP package available
GS8160Z18CGT-300产品属性
- 类型
描述
- 型号
GS8160Z18CGT-300
- 制造商
GSI
- 制造商全称
GSI Technology
- 功能描述
18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
GSI |
24+ |
TQFP10 |
5000 |
全现原装公司现货 |
|||
GSI |
23+ |
TQFP/10 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
GSI |
23+ |
QFP |
868800 |
只做原装正品,欢迎来电咨询! |
|||
GSI |
23+ |
QFP |
98900 |
原厂原装正品现货!! |
|||
GSI |
23+ |
QFP |
6000 |
只做原装 |
|||
GSI |
24+ |
QFP |
96880 |
只做原装,欢迎来电资询 |
|||
GSI |
21+ |
TQFP100 |
361 |
原装现货假一赔十 |
|||
GSI |
21+ |
TQFP100 |
6000 |
全新原装 现货 价优 |
|||
GSI |
23+ |
TQFP100 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
GSI |
23+ |
TQFP100 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
GS8160Z18CGT-300 资料下载更多...
GS8160Z18CGT-300 芯片相关型号
- CX1210MKX7R6BB1
- DAC702BH
- DRV401
- DRV401AIDWPG4
- GS816018CGT-250
- GS816036CGT-300
- GS8160Z18CT-333T
- GS8160Z36CGT-250I
- GS816118CD-333T
- HAT2240C-EL-E
- LPT-3535-101LC
- LPT-3535-250LC
- LPT-3535-500LC
- LS0BB-2FGT
- LS1AA-3FGT
- LS2BB-1FGT
- MB90362SPMT
- MB90362TSPMT
- MB90V340A-104
- NX25F021B-5V
- OM5329SC
- ONET3301PARGT
- PS2703-1-A
- QLA694B-2G
- RLD30P500UA
- RTBV151CBDED6M10X5K9025S
- SGA4D150S0305WD
- SP8690BDG
- ST72F324K2TA
- WMS7202010T
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
GSI Technology
GSI Technology是一家总部位于美国加利福尼亚州的半导体公司,成立于1995年。该公司专注于设计、开发和销售高性能半导体存储器解决方案,包括静态随机存储器(SRAM)和全定制存储器产品。 作为一家专注于存储器产品的半导体公司,GSI Technology致力于提供高性能、低功耗、高可靠性的解决方案,以满足客户对存储器器件的需求。公司的产品广泛应用于计算机、通信、消费电子、医疗和工业领域等不同行业。 GSI Technology在半导体存储器领域拥有丰富的经验和技术优势,致力于不断创新和产品改进。公司的产品组合包括高速、低功耗的静态随机存储器(SRAM)、全定制存储器和其他相关存储器产