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GT038P06M中文资料

厂家型号

GT038P06M

文件大小

1028.069Kbytes

页面数量

6

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

数据手册

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生产厂商

GOFORD

GT038P06M数据手册规格书PDF详情

Description

The GT038P06M uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in

a wide variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

更新时间:2025-10-28 8:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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