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G60N06T中文资料

厂家型号

G60N06T

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974.03Kbytes

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6

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

数据手册

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生产厂商

GOFORD

G60N06T数据手册规格书PDF详情

Description

The G60N06T uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide

variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

更新时间:2025-11-1 11:06:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
N/A
58000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
IR
22+
NA
6000
终端可免费供样,支持BOM配单
IR
23+
NA
8000
只做原装现货
IR
23+
NA
7000
G
24+
TO
500
原厂
23+
TO-3PL
5000
原装正品,假一罚十
CHN
23+
TO-3PL
50000
全新原装正品现货,支持订货
Freescale(飞思卡尔)
2022+
60000
原厂原装,假一罚十
CHN
24+
NA/
300
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
FSC
2025+
TO-3P
4325
全新原厂原装产品、公司现货销售