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G58N06K中文资料
G58N06K数据手册规格书PDF详情
Description
The G58N06K uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used
in a wide variety of applications.
Application
l Power switch
l DC/DC converters
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
986966 |
国产 |
|||
INTEL |
22+ |
NA |
10000 |
原装正品支持实单 |
|||
GMT |
1651+ |
TQFN3*3-16 |
8660 |
只做原装进口,假一罚十 |
|||
GMT |
1836+ |
QFN |
9852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
GMT |
2447 |
QFN |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
GMT |
23+ |
QFN |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
GMT/致新 |
23+ |
TQFN3X3-16 |
13500 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
GMT |
1482+ |
QFN |
30 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
GMT |
2023+ |
TQFN16 |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
|||
GMT/致新 |
08+ |
QFN |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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G58N06K 芯片相关型号
- 48NV-1BRHD-M2SLASHQ
- 48NV-1BRHD-MSLASHQ
- 48NV-1BRHD-RSLASHQ
- 48NV-1GRHA-M2SLASHQ
- FRTD-S-H4-K
- FRTD-S-H4-KSLASHQ
- FRTD-S-H4-L
- FRTD-S-H4-P
- FRTD-S-H4-R
- FRTD-S-H4W-K
- FRTD-S-H4W-KSLASHQ
- FRTD-S-H4W-L
- FRTD-S-H4W-P
- FRTD-S-HC-LSLASHQ
- G58N06F
- G58N06KA
- KWDNY-12A-CSLASHQ
- KWDNY-12A-D
- KWDNY-12A-DSLASHQ
- KWDNY-12A-R
- KWDNY-12A-RSLASHQ
- ME44
- MKP385E14712JYI2BSLASHT0
- MKP385E14712JYM2BSLASHT0
- MKP385E14712JYP2BSLASHT0
- MKP385E14712JYP4BSLASHT0
- QMB350-125SLASH57
- QMB360-140SLASH70
Datasheet数据表PDF页码索引
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GOFORD SEMICONDUCTOR
Goford是一家专注于半导体领域的公司,致力于为多个行业提供丰富多样的MOSFET产品及相关解决方案。其产品涵盖P沟道和N沟道MOSFET等多种类型,如GT011N03D5E具备30V超低导通电阻和ESD保护能力,适用于电机控制;GT095N10采用先进沟槽技术,可应用于电源、LED驱动等领域;GT023N10凭借大电流承载能力等优势,成为电机控制和电池管理系统(BMS)的理想选择。此外,公司还提供工业电源解决方案。Goford注重产品研发和技术创新,拥有完善的MOSFET组装工艺,并提供关于如何选择替代产品等资源内容,旨在为客户提供优质的半导体产品和专业的技术支持 。