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G2012中文资料

厂家型号

G2012

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6

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

数据手册

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生产厂商

GOFORD

G2012数据手册规格书PDF详情

Description

The G2012 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

Application

⚫ Power switch

⚫ DC/DC converters

更新时间:2026-3-4 15:08:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
GOFORD
2025+
DFN22-6L
5000
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GOFORD
22+
DFN22-6L
20000
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