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G2009G中文资料

厂家型号

G2009G

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643.17Kbytes

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6

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

数据手册

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生产厂商

GOFORD

G2009G数据手册规格书PDF详情

Description

The G2009G uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide

variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

更新时间:2025-12-1 14:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
GOFORD
2022+
TO-251252
50000
原厂代理 终端免费提供样品
Goford Semiconductor
25+
8-SOIC(0.154 3.90mm 宽)
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
NK/南科功率
2025+
TO-252-2
986966
国产
GMT
2016+
TQFN
1900
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
GMT
TQFN
6688
15
现货库存
GMT/致新
24+
TQFN3X320L
30000
原装现货
GMT
25+
TQFN
15000
一级代理原装现货
GMT
2447
TQFN
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
GMT
23+
TQFN
50000
全新原装正品现货,支持订货
GMT/致新
23+
TQFN
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种