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G1K3N10G中文资料

厂家型号

G1K3N10G

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881.46Kbytes

页面数量

6

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

数据手册

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生产厂商

GOFORD

G1K3N10G数据手册规格书PDF详情

Description

The G1K3N10G uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in

a wide variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

更新时间:2025-10-10 14:25:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Goford Semiconductor
25+
8-SOIC(0.154 3.90mm 宽)
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
24+
N/A
82000
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