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G18NP06Y中文资料

厂家型号

G18NP06Y

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1377.11Kbytes

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10

功能描述

N and P Channel Enhancement Mode Power MOSFET

数据手册

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生产厂商

GOFORD

G18NP06Y数据手册规格书PDF详情

Description

The G18NP06Y uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in

a wide variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

更新时间:2026-2-17 15:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
GOFORD
22+
SOP-8
20000
只做原装
LRC/乐山无线电
25+
SOT23
15000
全新原装现货,价格优势
GMT/致新
23+
SOT-89
50000
全新原装正品现货,支持订货
GMT
23+
QFN
50000
全新原装正品现货,支持订货
GMT
13+
QFN
2340
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
GMT
2026+
SMD
15000
原装正品,假一罚十!
GMT/致新
24+
SOT-89
60000
SMD
2450+
SMD
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
MAIN POWER
两年内
NA
867
实单价格可谈
AU
24+
65200