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G120P06M中文资料

厂家型号

G120P06M

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599.26Kbytes

页面数量

6

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

数据手册

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生产厂商

GOFORD

G120P06M数据手册规格书PDF详情

Description

The G120P06M uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in

a wide variety of applications.

Application

l Power switch

l DC/DC converters

更新时间:2025-10-29 11:06:00
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