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G09N06S2中文资料

厂家型号

G09N06S2

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807.38Kbytes

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6

功能描述

DUAL N-Channel Trench MOSFET

数据手册

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生产厂商

GOFORD

G09N06S2数据手册规格书PDF详情

Description

The G09N06S2 uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

Application

⚫ Power switch

⚫ DC/DC converters

更新时间:2026-2-19 11:10:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
GOFORD/谷峰
23+
SOP-8
3084
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、
Goford Semiconductor
25+
8-SOIC(0.154 3.90mm 宽)
9350
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NK/南科功率
2025+
SOP-8
986966
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