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RFP10P12中文资料

厂家型号

RFP10P12

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242.88Kbytes

页面数量

4

功能描述

P-CHANNEL ENHANCEMENT - MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS

- Bulk

数据手册

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简称

GESS

生产厂商

GE Solid State

中文名称

官网

LOGO

RFP10P12数据手册规格书PDF详情

P-Channel Enhancement - Mode Power Field-Effect Transistors

Features:

■ SOA is power-dissipation limited

■ Nanoseconde switching speeds

■ Linear transfer characteristics

■ High input impedance

■ Majority carrier device

RFP10P12产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RFP10P12

  • 制造商

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述

    - Bulk

  • 制造商

    Harris Corporation

更新时间:2025-6-20 17:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
GESS
23+
NA
39960
只做进口原装,终端工厂免费送样
HARRIS(哈利斯)
20+
TO-220
3000
24+
N/A
4500
INTERSIL/FSC
23+
TO-220
28610
INTERSI
24+
TO-220
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
IR
23+
D-PAK
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
FAIRCHILD
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
INTERSIL
TO-220
22+
6000
十年配单,只做原装
Intersil
23+
TO-220
6000
原装正品,支持实单
FAIRCHILD
1932+
TO-220
398
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

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  • GETEDZ
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  • GIACOMINI
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GE Solid State

中文资料: 151条

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