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RFP10N12中文资料

厂家型号

RFP10N12

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功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS

数据手册

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生产厂商

GESS

RFP10N12数据手册规格书PDF详情

N-Channel Enhancement-Mode Power Field-Effect Transistors

Features

■ SOA is power-dissipation limited

■ Nanosecond switching speeds

■ Linear transfer characteristics

■ High input impedance

■ Majority carrier device

RFP10N12产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RFP10N12

  • 制造商

    GESS

  • 制造商全称

    GESS

  • 功能描述

    N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS

更新时间:2025-10-17 16:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HAR
24+
N/A
5000
公司存货
HARRIS
16+
TO-220
10000
全新原装现货
RCA
466
全新原装 货期两周
HARRIS/哈里斯
23+
TO-220
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
HARRIS(哈利斯)
20+
TO-220-3
3000
24+
N/A
56000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
INTERSIL
17+
TO-220
6200
INTESIL
23+
TO-220
8000
专做原装正品,假一罚百!
INTESIL
2447
TO-220
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
FSC
23+
T0-220
50000
全新原装正品现货,支持订货