位置：GBL06 > GBL06详情
GBL06中文资料
GBL06数据手册规格书PDF详情
Features
• Glass passivated chip junction
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
• Ideal for printed circuit boards
• Not ESD Sensitive
• This series is UL listed under the Recognized
• Typical IR less than 0,1 A
• High case dielectric strength
• High surge current capability
GBL06产品属性
- 类型
描述
- 型号
GBL06
- 功能描述
桥式整流器 600V 4A Bridge Rectifier
- RoHS
否
- 制造商
Vishay
- 产品
Single Phase Bridge
- 峰值反向电压
1000 V 最大 RMS
- 正向连续电流
4.5 A
- 最大浪涌电流
450 A
- 正向电压下降
1 V
- 最大反向漏泄电流
10 uA
- 最大工作温度
+ 150 C
- 长度
30.3 mm
- 宽度
4.1 mm
- 高度
20.3 mm
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
SIP-4
- 封装
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
GENESIC |
1809+ |
SIP-4 |
3675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
GeneSiC Semiconductor |
22+ |
GBL |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
台产 |
24+ |
扁桥 |
80000 |
主营桥堆系列,真实库存 |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
ZIP4 |
132 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
Vishay(威世) |
2249+ |
61643 |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
||||
VISHAY(威世) |
24+ |
SIP-4 |
1189 |
特价优势库存质量保证稳定供货 |
|||
VISHAY(威世) |
24+ |
SIP-4 |
5345 |
百分百原装正品,可原型号开票 |
|||
VISHAY |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
WILLAS |
25+ |
DIP |
6500 |
十七年专营原装现货一手货源,样品免费送 |
|||
GI |
2015+ |
SMD/DIP |
19889 |
一级代理原装现货,特价热卖! |
GBL06-E3/51 价格
参考价格：￥3.3981
GBL06 资料下载更多...
GBL06 芯片相关型号
- 3701-BA
- 39543-0223
- 39544-3022
- 39880-0420
- 39880-0748
- 39880-0809
- B25673A4102A040
- B25673A4302A080
- B25673A4332A080
- B32344E4121A540
- B81192C3473
- BAP64-05_2015
- BB208-02_2015
- DSW-210
- GBL10
- GBPC3510T
- GBPC5001T
- GKR7112
- HMK212B7683KG-T
- KBPC5002W
- M3P100A-160
- PA951
- R0003
- SI6963DQ
- SMAZ18
- STPMS1BPQR
- SW-516
- TDC10-150MA
- TMK316SD683KF-T
- UR5516
GENESIC相关芯片制造商
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
GeneSiC Semiconductor, Inc.
中文资料: 4368条
GeneSiC是碳化硅技术的先驱和全球领导者，同时也涉足高功率硅技术。它提供行业内最全面的650V、1200V、1700V和3300V MOSFET以及肖特基MPS二极管等优质碳化硅功率器件技术，具有一流的性能、坚固性、最高的质量和可靠性、高产量且交货期短以及注重系统性价比等优势。其产品适用于电动汽车及充电（如动力系统逆变器、车载充电器、DC - DC转换器、极速充电器）、可再生能源（太阳能、风能、储能系统）、电源IT基础设施以及智能电网和高压直流等领域。公司还拥有领先的宽带隙功率器件技术专利，全球领先的工业和国防系统制造商依赖其技术提升产品性能和效率。
