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GB100XCP12-227中文资料
GB100XCP12-227产品属性
- 类型
描述
- 型号
GB100XCP12-227
- 功能描述
IGBT 模块 1200V 100A SIC IGBT CoPak
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
更新时间：2024-4-30 10:18:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
GeneSiC |
1935+ |
N/A |
27 |
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|||
GENESIC |
1809+ |
SOT-227 |
26 |
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|||
GeneSiC |
22+ |
NA |
27 |
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|||
GeneSiC |
22+ |
原厂封装 |
5000 |
原厂原装现货,订货价格优势,终端BOM表可配单提供样 |
|||
GeneSiC |
2305+ |
原厂封装 |
5000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83273405邹小姐 |
|||
GeneSiCSemiconductor |
23+ |
IGBT1200V100ASOT-227 |
1942 |
专业代理销售半导体模块,能提供更多数量 |
|||
GeneSiC Semiconductor |
24+ |
TO-247-2 |
9350 |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
|||
IXFN |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
|||
DIODES-美台 |
24+25+/26+27+ |
车规-晶振器件 |
9417 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
MAGNACHIP |
2023+环保现货 |
SOIC |
1200 |
专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务 |
GB100XCP12-227 价格
参考价格：￥1232.0489
型号：GB100XCP12-227 品牌：GeneSiC 备注：这里有GB100XCP12-227多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，GB100XCP12-227批发/采购报价，GB100XCP12-227行情走势销售排排榜，GB100XCP12-227报价。
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- P80
GeneSiC Semiconductor, Inc.
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