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GE17042BCA3中文资料

厂家型号

GE17042BCA3

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9

功能描述

1700V Dual Silicon Carbide Power Module

数据手册

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生产厂商

GEC

GE17042BCA3数据手册规格书PDF详情

Features

•Highly reliable GE SiCMOSFET devices

•Low RDS(ON) (3.75 mΩ) (device only)

•Low stray inductance (1 nH)

•Ultra-low switching losses over entire operating range

•Body diode with minimal reverse recovery

•Integrated temperature sensing

•AlSiCBaseplate and Si3N4AMB Substrate

更新时间:2021-9-14 10:50:00
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