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BS108中文资料

厂家型号

BS108

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5

功能描述

DMOS Transistors (N-Channel)

MOSFET 200V 250mA Logic

数据手册

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生产厂商

GE

BS108数据手册规格书PDF详情

FEATURES

♦ High breakdown voltage

♦ High input impedance

♦ Low gate threshold voltage

♦ Low drain-source ON resistance

♦ High-speed switching

♦ No minority carrier storage time

♦ CMOS logic compatible input

♦ No thermal runaway

♦ No secondary breakdown

♦ Specially suited for telephone subsets

BS108产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BS108

  • 功能描述

    MOSFET 200V 250mA Logic

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-1 23:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
24+
标准封装
7475
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BITEK
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