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GTVA263202FC-V1-R0

Thermally-EnhancedHighPowerRFGaNonSiCHEMT340W,48V,2620–2690MHz

Description TheGTVA263202FCisa340-watt(P3dB)GaNonSiChighelectron mobilitytransistor(HEMT)foruseinmulti-standardcellularpower amplifierapplications.Itfeaturesinputmatching,highefficiency,and athermally-enhancedsurface-mountpackagewithearlessflange Features •Ga

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GTVA263202FC-V1-R0

封装/外壳:H-37248-4 包装:带 描述:RF SIC HEMT 340W,2620 - 2690MHZ 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

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更新时间:2024-6-19 11:16:00
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