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GTVA262711FA-V2-R0

Thermally-EnhancedHighPowerRFGaNonSiCHEMT300W,48V,2620–2690MHz

Description TheGTVA262711FAisa300-watt(P3dB)GaNonSiChighelectron mobilitytransistor(HEMT)foruseinmulti-standardcellularpower amplifierapplications.Itfeaturesinputmatching,highefficiency, andathermally-enhancedpackagewithearlessflange. Features •GaNonSiCHEM

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WOLFSPEED, INC.

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GTVA262711FA-V2-R0

封装/外壳:H-87265J-2 包装:卷带(TR) 描述:GAN HEMT 48V 300W 2496-2690MHZ 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

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Thermally-EnhancedHighPowerRFGaNonSiCHEMT300W,48V,2620??2690MHz

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CreeCree Inc.

科锐科锐半导体制造商

Cree
更新时间:2024-6-18 21:07:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Wolfspeed, Inc.
24+
H-87265J-2
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
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