| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
GTRA362802FC-V1-R2 | Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 280 W, 48 V, 3400 – 3600 MHz Description The GTRA362802FC is a 280-watt (P3dB) GaN on SiC high electron mobility transistor (HEMT) designed for use in multi-standard cellular power amplifier applications. It features input matching, high efficiency, and a thermally-enhanced package with earless flange. Features • GaN on | WOLFSPEED |   |
更新时间：2026-7-30 18:08:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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GT8E-8S-HU
原装正品现货
2022-4-22GUVA-C22SD
韩国GENICOM 紫外线传感器
2021-5-25GUVA-T11GC-ILA5
GUVA-T11GC-ILA5原装太阳光紫外线传感器探头探测器韩国GenUV原厂
2021-2-23GUVA-T11GC-ILA2
GUVA-T11GC-ILA2原装太阳光紫外线传感器探测器探头韩国GenUV原厂
2021-2-19GT50GR22
GT50GR22 ，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-8-1GTL2014PW全新NXP/恩智浦现货
原厂很远 现货很近 坚持每一片芯片都来自原厂及授权渠道
2020-5-14
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