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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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GT60M104 | N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS) Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC( | TOSHIBA 东芝 |   | |
GT60M104 | Discrete IGBTs 文件：835.68 Kbytes Page：16 Pages | TOSHIBA 东芝 | | |
GT60M104 | Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS | TOSHIBA 东芝 | |
GT60M104产品属性
- 类型
描述
- 型号
GT60M104
- 制造商
TOSHIBA
- 制造商全称
Toshiba Semiconductor
- 功能描述
N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOS |
24+ |
NA |
5700 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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TOSHIBA |
2015+ |
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TOSHIBA |
25+ |
TO-3PL |
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TOSHIBA |
25+ |
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TOSHIBA |
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TOSHIBA |
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A |
24+ |
TO-3P |
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原厂 |
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模块 |
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GT50GR22 ，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-8-1GTL2014PW全新NXP/恩智浦现货
原厂很远 现货很近 坚持每一片芯片都来自原厂及授权渠道
2020-5-14
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