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GT60M104

N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS)

Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC(

TOSHIBA

东芝

GT60M104

Discrete IGBTs

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TOSHIBA

东芝

GT60M104

Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

TOSHIBA

东芝

GT60M104产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GT60M104

  • 制造商

    TOSHIBA

  • 制造商全称

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述

    N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS)

更新时间:2025-11-19 10:05:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOS
22+
TO-3P-3
6000
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