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GT25G101

N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)

Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC(

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GT25G101

SILICON N−CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS

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GT25G101

Discrete IGBTs

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS

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N CHANNEL IGBT (STROBE FLASH APPLICATIONS)

STROBE FLASH APPLICATIONS ● High Input Impedance ● Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 8V (Max.) (IC = 170A) ● Enhancement−Mode ● 12V Gate Drive

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS

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GT25G101产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    GT25G101

  • 制造商

    TOSHIBA

  • 制造商全称

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述

    SILICON N−CHANNEL IGBT STROBE FLASH APPLICATIONS

更新时间:2025-10-5 15:14:00
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