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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
DiscreteIGBTs 文件：835.68 Kbytes Page：16 Pages | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 |  |   | |
N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description The15N10usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas4.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa Batteryprotectionorinotherswitchingapplication. Application Batteryswitch DC/DCconverter | TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司 |  | | |
14.7A,100V(D-S)N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC15N10isanN-ChannelenhancementMOSFET,itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithaminimumon-stateresistance,highswitchingspeedandlowgatecharge. TheUTC15N10issuitableforhighefficiencyswitchingDC/DCconverter,LCDdisplayinverterandl | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
100VN-ChannelPowerMOSFET 文件：1.11304 Mbytes Page：8 Pages | DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司 |  | | |
P-Channel30V(D-S)MOSFET 文件：1.02293 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
N-Channel100V(D-S)MOSFET 文件：1.0134 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | |
GT15N10产品属性
- 类型
描述
- 型号
GT15N10
- 功能描述
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 15A I(C) | TO-247VAR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
富士 |
23+ |
15A/1200V/1UIGBT单管 |
300 |
全新原装假一赔十 |
|||
TOSHIBA |
2020+ |
TO-3P |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
SIL |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
|||
TOSHIBA |
23+ |
TO-3P |
9960 |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
|||
TOSHIBA |
2020+ |
TO-3PL |
16800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
|||
银茂微 |
23+ |
MODULE |
4500 |
专营国产功率器件 |
|||
TOSHIBA |
2020+ |
TO-3P |
985000 |
100%进口原装正品公司现货库存 |
|||
GOFORD谷峰 |
23+ |
SOP-8 |
22820 |
原装正品，支持实单 |
|||
TOSHIBA |
01+ |
TO-3P |
35 |
||||
TOSHIBA |
23+ |
TO-3P |
1200 |
绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购! |
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2019-3-21
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